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      第三代功率半導(dǎo)體的如何進(jìn)行動(dòng)態(tài)熱循環(huán)測(cè)試
      來(lái)源:金凱博自動(dòng)化 發(fā)布時(shí)間:2024-05-10 類別:技術(shù)資訊
      信息摘要:

      第三代功率半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件,因其出色的高溫、高壓、高功率和高頻率特性,在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中備受關(guān)注。動(dòng)態(tài)熱循環(huán)測(cè)試是評(píng)估這些器件在快速溫度變化下的性能和可靠性的重要手段。以下...

      第三代功率半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件,因其出色的高溫、高壓、高功率和高頻率特性,在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中備受關(guān)注。動(dòng)態(tài)熱循環(huán)測(cè)試是評(píng)估這些器件在快速溫度變化下的性能和可靠性的重要手段。以下是進(jìn)行第三代功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)熱循環(huán)測(cè)試的一般步驟和注意事項(xiàng):


      1. **測(cè)試目的**:動(dòng)態(tài)熱循環(huán)測(cè)試用于模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中遇到的快速溫度變化,評(píng)估其熱穩(wěn)定性和熱循環(huán)下的可靠性。

      2. **測(cè)試設(shè)備**:需要使用專業(yè)的測(cè)試設(shè)備,如氣候模擬試驗(yàn)箱、溫度循環(huán)試驗(yàn)箱等,以實(shí)現(xiàn)對(duì)器件進(jìn)行快速加熱和冷卻。

      3. **測(cè)試條件**:測(cè)試條件應(yīng)根據(jù)器件的應(yīng)用場(chǎng)景和工作要求設(shè)定,包括最高和最低溫度、溫度變化速率、循環(huán)次數(shù)等。

      4. **測(cè)試流程**:

         - 將器件放置于測(cè)試設(shè)備中,并進(jìn)行初始的溫度穩(wěn)定。

         - 按照設(shè)定的測(cè)試程序,對(duì)器件進(jìn)行快速升溫和降溫,模擬實(shí)際工作條件下的熱循環(huán)。

         - 在每個(gè)溫度點(diǎn),保持一定的時(shí)間以確保器件達(dá)到熱平衡。


      5. **數(shù)據(jù)采集**:使用熱電偶或紅外測(cè)溫儀等設(shè)備實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)器件的溫度變化,記錄溫度曲線。

      6. **失效判據(jù)**:設(shè)定明確的失效判據(jù),如器件性能參數(shù)的變化、熱阻的變化、外觀損壞等。

      7. **安全措施**:在測(cè)試過(guò)程中,確保采取適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施,防止器件因溫度突變而損壞。

      8. **數(shù)據(jù)分析**:對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行詳細(xì)分析,以識(shí)別器件的潛在失效模式和改進(jìn)方向。

      9. **標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范**:測(cè)試應(yīng)遵循相關(guān)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)規(guī)范,如IEC、JEDEC、AEC-Q等。

      10. **測(cè)試結(jié)果應(yīng)用**:測(cè)試結(jié)果可用于器件的設(shè)計(jì)優(yōu)化、工藝改進(jìn)、質(zhì)量控制和故障分析。

      11. **技術(shù)難點(diǎn)**:對(duì)于第三代半導(dǎo)體,由于其高頻、高共模、高壓等特性,傳統(tǒng)的測(cè)試工具可能已不適用,需要開(kāi)發(fā)新的測(cè)試技術(shù)和方法。

      12. **專業(yè)實(shí)驗(yàn)室**:為了解決第三代半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試難題,可以利用專業(yè)實(shí)驗(yàn)室提供的測(cè)試服務(wù),如泰克科技先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,該實(shí)驗(yàn)室提供從傳統(tǒng)硅基器件到三代半功率器件的全方位特性測(cè)試和表征。

      13. **測(cè)試方案**:在制定第三代半導(dǎo)體器件功率循環(huán)測(cè)試方案時(shí),需要考慮包括測(cè)試條件、測(cè)試設(shè)備、數(shù)據(jù)采集和分析、安全措施等關(guān)鍵因素。


      通過(guò)這些步驟,可以全面評(píng)估第三代功率半導(dǎo)體器件在動(dòng)態(tài)熱循環(huán)條件下的性能和可靠性,為器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供重要依據(jù)。


      金凱博第三代功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)具有80個(gè)測(cè)試通道、每個(gè)通道獨(dú)立控制;實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果,生成測(cè)試報(bào)告;具有防燙、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù);支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表等眾多優(yōu)勢(shì)性能。并具有高溫高壓高頻高精度脈沖源:dv/dt>50v/ns、頻率50KHz;高精度測(cè)試:電流分辨率10pA,電壓分辨率100nV;多參數(shù)測(cè)量:Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、lgss漏電流、ldss漏電流、溫度,功能完備并有可擴(kuò)展性。


      系統(tǒng)老化測(cè)試功能

      一、DRB動(dòng)態(tài)反偏

      1.試驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)time: ≥1000h

      2.試驗(yàn)溫度temp: 25℃

      3.漏源電壓VDS: ≥0.8Vdsmax

      dVDS/dt 取 50V/ns,f≥25kHz; 

      4.柵源電壓VGS:0V or VGSmin


      二、DGB動(dòng)態(tài)柵極反偏

      1.試驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)time:為10^11次循環(huán)

      2.試驗(yàn)溫度temp:25℃

      3.漏源電壓VDS:0V

      4.柵極電壓VGS:VGS=VGSmax至VGS min,dVGS/dt 取 1V/ns,f≥50kHz


      三、HTRB高溫反偏

      1.試驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)time:≥1000h

      2.試驗(yàn)溫度temp:最高結(jié)溫

      3.漏源電壓VDS:≥0.8Vdsmax

      4.柵源電壓VGS:0V or VGSmin


      四、HTGB高溫柵極反偏

      1.試驗(yàn)時(shí)長(zhǎng):≥1000h

      2.試驗(yàn)溫度:最高結(jié)溫

      3.VDS漏源電壓:0V

      4.柵極電壓:VGS=VGSmax(正柵極電壓測(cè)量50%DUT)

      VGS=VGSmin(負(fù)柵極電壓測(cè)量50%DUT)


      功率半導(dǎo)體設(shè)備22.jpg


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