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高溫反向偏壓試驗（High-Temperature Reverse-Bias, HTRB）是一項用于評估半導體器件長期可靠性的重要測試。以下是對HTRB試驗的全面了解：

試驗背景

AEC-Q101標準：HTRB試驗是AEC-Q101標準中的Group B加速壽命模擬試驗的一部分，該標準廣泛用于汽車級、工業(yè)級和軍用級半導體器件的測試。

軍用級參考：HTRB試驗方法參考了MIL-STD-750方法1038條件A（適用于二極管、整流器和齊納管）和M1039條件A（適用于晶體管）。

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缺陷識別：HTRB旨在識別制造過程中產(chǎn)生的潛在缺陷，這些缺陷在未進行老化處理的情況下可能導致器件過早失效。

故障模式揭示：通過在特定條件下運行半導體器件，HTRB試驗揭示了由時間和應(yīng)力引起的電氣故障模式。

試驗條件

電壓與溫度：根據(jù)AEC-Q101標準，測試在最大直流反向電壓下進行1000小時，同時控制結(jié)溫以防止熱失控，環(huán)境溫度TA可以根據(jù)需要從Ta(MAX)向下調(diào)整。

批量測試：標準要求對3批*77顆器件進行同時測試，以確保數(shù)據(jù)的代表性和統(tǒng)計意義。

實時監(jiān)控：測試過程中需實時監(jiān)控漏電流，并在老化前后測量器件的靜態(tài)參數(shù)。

試驗前的電性能參數(shù)

參數(shù)測量：試驗前后需對器件進行基本的靜態(tài)參數(shù)測量，確保所有性能參數(shù)符合用戶零件規(guī)范的要求。

失效判定標準

性能參數(shù)：器件在試驗后應(yīng)繼續(xù)符合用戶零件規(guī)范中定義的性能參數(shù)要求。

參數(shù)變化：試驗后的電性能參數(shù)變化應(yīng)保持在初始值的±20%以內(nèi)。

泄漏電流：允許的泄漏電流不超過試驗前初始值的5倍。

物理損壞：器件外觀不得出現(xiàn)任何由試驗引起的物理損壞。

HTRB試驗是確保半導體器件在高溫和高電壓條件下長期穩(wěn)定工作的重要手段，對于汽車、工業(yè)和軍事等對可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域尤為關(guān)鍵。通過這項試驗，制造商能夠識別并改進器件設(shè)計，提高產(chǎn)品的整體質(zhì)量和可靠性。

金凱博碳化硅SiC車規(guī)級動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)具有80個測試通道、每個通道獨立控制；實時保存測試結(jié)果，生成測試報告；具有防燙、過流、過壓保護；支持擴展外接標準儀表等眾多優(yōu)勢性能。并具有高溫高壓高頻高精度脈沖源：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；高精度測試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；多參數(shù)測量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、lgss漏電流、ldss漏電流、溫度，功能完備并有可擴展性。